Con un presupuesto de más de 7 millones de euros, financiados por la UE, el pasado mes de enero arrancó el proyecto europeo Future Oriented Renewable and Reliable Energy SiC Solutions (For2ensics), que se centrará en el desarrollo de dispositivos semiconductores basados en carburo de silicio de voltaje ultra alto para su uso en energías renovables. Este proyecto mejorará la tecnología de los semiconductores de dispositivos implicados en la producción y distribución de energías renovables.
El proyecto, que tiene una duración de cuatro años, está liderado por el Instituto de Microelectrónica de Barcelona (IMB-CNM) del Consejo Superior de Investigaciones Científicas (CSIC) y participan otros siete centros de investigación y empresas europeas.
Según los investigadores, los semiconductores de alta potencia basados en carburo de silicio son fundamentales para el control y el uso eficientes de todas las tecnologías relacionadas con las energías renovables. Las aplicaciones van desde la generación de energía eólica, pasando por las nuevas tecnologías de transporte (coches híbridos y eléctricos, trenes eléctricos, aviones y barcos), hasta la distribución a través de redes inteligentes.
Nuevos sistemas compatibles con las fuentes de energía renovables
El proyecto For2ensics continúa la línea de investigación en carburo de silicio, un semiconductor casi tan resistente como el diamante, con mejores propiedades que el silicio y que permite reducir el coste de los dispositivos de alta potencia, por lo que es un actor clave en la transición energética.
El objetivo es desarrollar nuevos sistemas basados en este compuesto y compatibles con las fuentes de energía renovables. Esto requiere convertidores de potencia eficientes y compactos que aguanten tensiones de hasta 15 kV, aunque actualmente no existe nada que se adapte a estas necesidades.
Además, el proyecto busca reducir los costes y el impacto medioambiental de los procesos de fabricación de chips, mediante nuevos métodos para el crecimiento de los materiales y el procesamiento de los semiconductores.